UV LED Epi Susceptor

UV šviesos diodų Epi susceptorius yra labai svarbus proceso komponentas ultravioletinių šviesos diodų epitaksiniame augime. Ekstremalios terminės sąlygos, didelis aliuminio kiekis ir siauri proceso langai kelia itin griežtus medžiagų ir konstrukcijų projektavimo reikalavimus. Metalo organinio cheminio garų nusodinimo (MOCVD) sistemose, skirtose AlN ir AlGaN pagrindu pagamintų UV šviesos diodų gamybai, substratas veikia kaip pagrindinė sąsaja tarp reaktoriaus aplinkos ir epitaksinių plokštelių, tiesiogiai veikdamas temperatūros vienodumą, dujų srauto stabilumą ir bendrą epitaksinio sluoksnio kokybę.

UV LED Epi Susceptor kaip pagrindą naudoja puslaidininkinės klasės grafitą, apsaugotą didelio grynumo silicio karbido (SiC) danga, skirta patikimam veikimui esant tipiškoms aukštos temperatūros ir korozinėms UV LED epitaksinio augimo proceso sąlygoms. Grafito pagrindas pasižymi puikiu šilumos laidumu ir greitu terminiu atsaku, todėl galima tiksliai kontroliuoti plokštelės paviršiaus temperatūrą auginant aukštos temperatūros aliuminio turtingą AlGaN. Šis terminis veikimas yra labai svarbus norint pasiekti vienodą storį, kontroliuojamą aliuminio sudėtį ir stabilius emisijos bangos ilgius visoje plokštelėje.

Silicio karbido danga atlieka lemiamą vaidmenį užtikrinant ilgalaikį proceso stabilumą. UV LED epitaksijos aplinkoje, kuriai būdingas didelis NH₃ srautas ir labai reaktyvūs metalo organinių junginių pirmtakai, neapsaugotas grafitas yra jautrus korozijai, dalelių susidarymui ir užterštumui. Tanki SiC danga efektyviai izoliuoja grafito pagrindą nuo tiesioginės cheminės erozijos, žymiai sumažindama dalelių susidarymą ir medžiagos išsiskyrimą, kartu padidindama atsparumą terminiams ciklams ir cheminei korozijai. Tai prisideda prie švaresnės reaktoriaus aplinkos ir pagerina plokštelių išeigą, ypač didelio masto gamyboje.

UV šviesos diodų gamyboje substratas atlieka ne tik plokštelės nešėjo vaidmenį, bet ir yra svarbus veiksnys, lemiantis šiluminio ir srauto lauko vienodumą. Jo geometrija ir paviršiaus charakteristikos yra optimizuotos taip, kad būtų sumažintas kraštų poveikis ir temperatūros gradientai, taip užtikrinant nuoseklų epitaksinį augimą ant vienos ar kelių plokštelių. Stabilus ir pakartojamas šiluminis veikimas leidžia griežčiau valdyti procesą, o tai ypač svarbu esant giliems ultravioletinių bangų ilgiams.

UV LED Epi Susceptor sukurtas ilgam tarnavimo laikui ir stabiliam veikimui kiekvienoje partijoje, sumažinant priežiūros dažnumą ir bendras eksploatavimo išlaidas. Aukštos kokybės grafito šerdies ir tvirtos SiC dangos derinys užtikrina matmenų stabilumą ir paviršiaus vientisumą per ilgus gamybos etapus, padėdamas gamykloms išlaikyti optimizuotus proceso receptus ir ilgą laiką išlaikyti didelę išeigą.

Šis UV LED Epi Susceptor, kaip „Semixlab“ pažangių epitaksinių komponentų portfelio dalis, įkūnija gilų įmonės supratimą apie UV LED procesų reikalavimus ir įrangos suderinamumą. Jis tinka aliuminio nitrido (AlN) ir aliuminio galio nitrido (AlGaN) epitaksinėms reikmėms, kurioms reikalingas išskirtinis terminis tikslumas, cheminis patvarumas ir proceso kartojamumas. Būdama pirmaujančia Kinijos SiC dengtų UV LED Epi Susceptorų gamintoja, „Semixlab“ ir toliau yra įsipareigojusi tiekti pažangias technologijas ir individualius produktų sprendimus puslaidininkiniams giliųjų ultravioletinių LED epitaksiniams procesams. Nuoširdžiai tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.